反応性ガス雰囲気中でも1000℃加熱が出来る方式です。レーザーアブレーション装置、スパッタ装置、CVD装置をはじめ、幅広い実績を有しています。大型基板でも温度分布のよい加熱が出来ます。また、ユニットのみとしても対応可能です。 ユニット前景 SiCヒーターアセンブリ(写真はφ3インチ)
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